Učinak kvantnomehaničkog tuneliranja u radu tranzistora

završni rad

• Naslov (engleski): Quantum mechanical tunneling effect in the functioning of transistors
• Autor: Daniel Galov
• Mentor: Vladimir Dananić (mentor)
• Član povjerenstva: Vladimir Dananić (predsjednik povjerenstva)
• Član povjerenstva: Zvonimir Glasnović (član povjerenstva)
• Član povjerenstva: Nenad Bolf (član povjerenstva)
• Ustanova koja je dodijelila akademski / stručni stupanj: Sveučilište u Zagrebu; Fakultet kemijskog inženjerstva i tehnologije; Zagreb
• Datum i država obrane: 2015-09-07, Hrvatska
• Znanstveno / umjetničko područje, polje i grana: PRIRODNE ZNANOSTI; Fizika; Opća i klasična fizika

Sažetak

Tranzistor predstavlja temelj svijeta mikroelektronike. Ova naprava omogućava funkcioniranje svih ostalih tehničkih naprava i samim time je nezamjenjiv čimbenik u daljnjem razvoju i usavršavanju tehnologije. Cilj ovog rada je povezivanje kvantne kemije s mikroelektronikom i upoznavanje s tzv. kvantim tranzistorom ili tranzistorom s efektom tuneliranja koji predstavlja, po svim empirijskim dokazima i istraživanjima koja su učinjena, novo poglavlje u optimizaciji rada svih tehnoloških naprava. Ne samo da su testni rezultati rada ovakvog tranzistora znatno bolji od svih dosadašnjih tipova tranzistora već su i njegove dimenzije rekordno umanjene čineći mikroelektronske sklopove kompaktnijima nego ikad dosada. Rezultati su pokazali da se korištenjem principa kvantnog tuneliranja u proizvodnji integriranih krugova otvaraju vrata bezbrojnim novim mogućnostima izrade tranzistora, a samim tim se granice performansi tehničkih naprava pomiču u nedogled daleko.

Sažetak (engleski)

The transistor represents the foundation of the world of microelectronics. This device makes the functioning of all other technological devices possible and thereby it is an irreplacable factor in the further development and perfecting of technology. The goal of this work is connecting quantum chemistry with microeletronics and getting to know the so called quantum transistor or tunneling field effect transistor which represents, by all empiric evidences a new chapter in the optimisation of technological devices. Not only are the test results of this transistor far better than all the other types of transistors but also are its dimensions record low making microelectronic devices more compact than ever. Results have shown that by the use of quantum tunneling in the fabrication of integrated circuits, countless new doors are opened for new ways of making transistors and by that the limitations of technical devices' performances are moved into infinity.

• Ključne riječi: mikroelektronika; tranzistor; kvantnomehaničko tuneliranje
• Ključne riječi (engleski): microelectronics; transistor; quantum tunneling
• Jezik: hrvatski
• URN:NBN: urn:nbn:hr:149:256291
• Studijski program: Naziv: Kemijsko inženjerstvo; Vrsta studija: sveučilišni; Stupanj studija: preddiplomski; Akademski / stručni naziv: sveučilišni/a prvostupnik/ prvostupnica (baccalaureus/baccalaurea) inženjer/inženjerka kemijskog inženjerstva (univ. bacc. ing. cheming.)
• Vrsta resursa: Tekst
• Način izrade datoteke: Izvorno digitalna
• Prava pristupa: Otvoreni pristup
• Datum i vrijeme pohrane: 2016-09-26 12:58:05